三星电子准备从16层HBM开始引入混合键合技术

来源：极悦娱乐 2025-07-23 10:33:47

2025 年 7 月 22 日，在京畿道城南市韩国半导体产业协会举办的 “商用半导体开发技术研讨会” 上，三星电子 DS 部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇指出，随着高带宽内存（HBM）技术的发展，当堆叠层数超过 16 层时，现有的热压键合（TC）技术将无法满足生产需求。为此，三星正准备从 16 层 HBM 开始引入混合键合技术。

混合键合是下一代封装技术，与热压键合相比，它可焊接更多芯片堆叠，维持更低的堆叠高度并提高热排放效率。该技术无需在 DRAM 内存层之间添加凸点，而是直接利用铜将上下层连接，能大大提升信号传输速率，更适合 AI 计算所需的高带宽需求，还可降低 DRAM 层间的距离，减少 HBM 模块的整体高度。

此前，三星已成功使用混合键合技术生产出 16 层堆叠的 HBM3 内存样品，且该样品运行正常，未来计划把 16 层堆叠的混合键合技术应用于 HBM4 内存的大规模生产

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