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三星电子相关资讯

三星电子准备从16层HBM开始引入混合键合技术

2025-07-23

三星电子DS部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇表示正准备从16层HBM开始引入混合键合

三星电子 HBM

三星暂停德州晶圆厂部署，聚焦2纳米技术优化

2025-07-18

三星电子近日宣布，由于2纳米制程技术的良率问题持续存在，计划在2024年暂停在美国德州泰勒市晶圆厂的人员部署...

三星电子晶圆

三星电子发布可持续发展报告，宣布SOCAMM2内存模块开发进展

2025-07-02

三星电子在其2025年度可持续发展报告中宣布，已开发出基于LPDDR DRAM的服务器内存模块SOCAMM2...

三星电子SF4X UCIe原型芯片首次评估成功，带宽达24Gbps

2025-06-19

三星电子基于4nm工艺制造的SF4X UCIe原型芯片已成功完成首次性能评估，传输带宽达到24Gbps...

三星电子率先在DRAM领域导入干式光刻胶技术

2025-06-12

三星电子在DRAM内存领域取得了重要技术突破，成为首家引入干式光刻胶（Dry PR）技术的公司...

三星开发下一代封装材料玻璃中介层

2025-03-10

外媒最新消息显示，三星电子设备解决方案（DS）部门已着手开发下一代封装材料“玻璃中介层”，目标不仅是取代昂贵的硅中介层，还要...

三星电子半导体材料先进封装

英特尔、三星电子更换IEEE ISSCC 2025全体会议演讲人

2025-01-03

两家半导体巨头都在2024年末经历了领导层变动...

三星电子英特尔

三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

2024-12-24

三星电子将在平泽二厂（P2）建设一条10nm第七代DRAM（1d DRAM）试验线，以加强其竞争地位并提高新一代产品的良率...

存储器三星电子半导体制造

晶圆代工：先进制程大战一触即发！

2024-12-13

AI时代，高性能芯片重要性日益凸显，推动先进制程芯片成为晶圆代工行业竞争的“关键武器”；与此同时，消费电子市场尽管需求尚....

三星电子晶圆代工先进制程

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