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三星相关资讯

三星DRAM良率突破50%,下半年将量产HBM4

韩国媒体报导,三星电子在10奈米级第六代(1c)DRAM制程方面取得了重大进展,良率已突破50%...

三星 HBM4

存储器

三星推迟1.4纳米制程计划,Exynos芯片发展重心转向2纳米

三星电子近期宣布将推迟其1.4纳米制程的量产计划,预计这一计划将延迟至2028至2029年...

三星

制造/封测

三星发表Exynos 2500:首款3 奈米GAA芯片,效能与AI 表现同步升级

三星宣布最新旗舰芯片Exynos 2500,这是三星首款3 奈米GAA(环绕闸极)制程打造的行动芯片,象征高阶芯片制程大突破。

三星 芯片

IC设计

三星加速2nm工艺布局:泰勒晶圆厂计划2026年量产

三星电子正在加速其在美国得克萨斯州泰勒的晶圆厂的生产准备,计划于2026年引入2nm工艺的量产线

三星

制造/封测

Cadence与三星深化合作 加速AI与汽车芯片设计

6月16日,Cadence宣布与Samsung Foundry签署了一项新的多年期IP协议,旨在扩展其内存和接口IP解决方案在三星先进工艺节点SF4X、SF5A和SF2P上的应用...

三星

AI

三星HBM3E 8Hi内存通过博通测试,或将进入ASIC供应链

韩国媒体Financial Economic TV于6月17日报道,三星电子的改进版HBM3E 8Hi内存成功通过博通的认证测试,并完成了量产前的评估...

三星 博通

存储器

台积电与三星激战2nm制程芯片,良率差距显著

根据最新报道,台积电与三星电子均计划在2025年下半年开始量产2nm芯片,然而,台积电在良率方面的优势使其在争夺订单中占据了先机...

三星 台积电

制造/封测

三星全力提升2奈米良率至50%,力求追赶台积电

三星电子正在全力以赴提升其2奈米GAA制程的良率,目标是达到50%,以便在先进制程技术的竞争中追赶台积电...

三星

制造/封测

三星与汽车芯片制造商合作开发新一代车载半导体技术

三星与英飞凌、恩智浦等行业领军企业联手,致力于开发新一代车载半导体技术解决方案,目标是满足未来智能汽车对高性能计算芯片的需求...

三星

IC设计

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